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Q-Switched External-Cavity Surface-Emitting Lasers 期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2021, 卷号: 48, 期号: 7
作者:  X. Zhang;  L. Pan;  Y. Zeng;  Z. Zhang;  H. Yang
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2022/06/13
Effect of Substrate Misorientation on the Structural and Optical Characteristics of In-Rich InGaAs/GaAsP Quantum Wells 期刊论文
Applied Sciences-Basel, 2021, 卷号: 11, 期号: 18, 页码: 15
作者:  Z. W. Li;  Y. G. Zeng;  Y. Song;  J. W. Zhang;  Y. L. Zhou
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2022/06/13
Interfacial influence on electrical injection and transport characterization of CoFeB|MgO|GaAs-InGaAs quantum wells hetero-structure 期刊论文
Applied Surface Science, 2019, 卷号: 473, 页码: 230-234
作者:  Y. Tian ;   C. Zhang ;   C. Xiao ;   R. Wang ;   L. Xu ;   X. Devaux ;   Pierre Renucci ;   B. Xu ;   S. Liang ;   C. Yang ;   Y. Lu
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/07/30
InGaAs/GaAsP strain quantum well spatial light modulator with low voltage and high contrast ratio 期刊论文
Optik, 2019, 卷号: 182, 页码: 139-143
作者:  Y.B.Li;  Y.W.Huang;  Y.Q.Ning;  L.J.Wang
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/08/24
Evaluation of GaAsSb/AlGaAs strained superlattice photocathodes 期刊论文
AIP ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 075308
作者:  Liu, Wei;  Chen, Yiqiao;  Moy, Aaron;  Poelker, Matthew;  Stutzman, Marcy
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/10/08
Experimental investigation of loss and gain characteristics of an abnormal InxGa1-xAs-GaAs quantum well structure 期刊论文
Chinese Optics Letters, 2018, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 5
作者:  Jia, Y.;  Yu, Q. N.;  Li, F.;  Wang, M. Q.;  Lu, W.
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/09/17
Tunable optical phase filter 专利
专利号: US9716368, 申请日期: 2017-07-25, 公开日期: 2017-07-25
作者:  PADULLAPARTHI, BABU DAYAL
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
Effects of Strain in Low-Dimensional Semiconductor Structures 期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 9, 页码: 1066-1082
作者:  Yu, J. L.;  Chen, Y. H.;  Liu, Y.;  Cheng, S. Y.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/21
GaAs  Quantum Wells  Nanowires  ZnO  Si  InGaN  Strain  Ge  GaN  InN  InGaAs  Quantum Dots  
Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng
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VECSEL  MOVPE  InGaAs  
Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/15
Laser diode  MOCVD  GaAs  InP  

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