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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 4,1864_1867 作者:  徐静波;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  刘训春 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 截止频率  高电子迁移率晶体管  Ingaas/inalas Inp   Pseudomorphic layer in tunnel junction VCSEL 专利 专利号: US20050002430A1, 申请日期: 2005-01-06, 公开日期: 2005-01-06 作者:  RYOU, JAE-HYUN 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 Structural and photoluminescence properties of in-0.9(ga/al)(0.1)as self-assembled quantum dots on inp substrate 期刊论文 Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536 作者:  Sun, S;  Wu, J;  Liu, FQ;  Zu, HZ;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INAS ISLANDS  INP(001)  GROWTH  GAAS  SEMICONDUCTORS  THICKNESS  LASERS  INGAAS  SIZE   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 期刊论文 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 164-169 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS  Al)As/InAlAs/InP   Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 self-assembled quantum dots  InP substrate  high index  In(Ga,Al)As/InAlAs/InP  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAAS  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP(001)  GROWTH  LASERS   半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2702964B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-26 作者:  茅根 直樹;  魚見 和久;  三島 友義 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 Two-dimensional numerical simulation of the channel electron in an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.48As HEMT 会议论文 1997 ieee hong kong electron devices meeting, hong kong, hong kong, 35672 Zhang XH; Yang YF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29