QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A novel method for positioning of inas islands on gaas(110) 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Cui, CX;  Chen, YH;  Zhang, CL;  Jin, P;  Shi, GX 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas island  Gaas (110)  Cleaved edge overgrowth  Ingaas/gaas superlattice  Mbe   A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：150/42  |  提交时间：2010/03/17 InAs island   The evolution of inas/inalas/ingaalas quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Zhang, ZY;  Jin, P;  Li, CM;  Ye, XL;  Meng, XQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Low dimensional structures  Nanostructures  Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials  Laser diode   The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  nanostructures  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diode  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE   Photoluminescence study of self-assembled inas/gaas quantum dots covered by an inalas and ingaas combination layer 期刊论文 Journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514 作者:  Zhang, ZY;  Xu, B;  Jin, P;  Meng, XQ;  Li, CM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514 作者:  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  GROWTH  GAAS  LASERS   Effect of inxga1-xas (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength inas/gaas quantum islands 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL;  Miao, ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Low dimensional structures  Optical microscopy  Molecular beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting iii-v materials  Laser diodes   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：93/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Effects of interdiffusion on the luminescence of inas/gaas quantum dots covered by ingaas overgrowth layer 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 3, 页码: 216-219 作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Wei, YQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Rapid thermal annealing  Inas quantum dots  Ingaas overgrowth layer  Photoluminescence   Study of self-assembled inas quantum dot structure covered by inxga1-xas(0 <= x <= 0.3) capping layer 期刊论文 Acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2230-2234 作者:  Wang, XD;  Liu, HY;  Niu, ZC;  Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Cap layer  Strain-reducing  Redshift