QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electron mobility in modulation-doped alsb/inas quantum wells 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703 作者:  Zhang Y;  Li YB 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING  LOW-POWER APPLICATIONS  TRANSPORT-PROPERTIES  INTERFACE ROUGHNESS  INAS/ALSB HEMTS  HETEROSTRUCTURES  INAS  TRANSISTORS  GAS  LAYERS   Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures 期刊论文 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：212/46  |  提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS  LOW-POWER APPLICATIONS  HEMTS  MODULATION  HETEROSTRUCTURES  TECHNOLOGY  CHANNEL  VOLTAGE  MASS