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北京大学 [1]
兰州大学 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2016 [1]
2008 [1]
2001 [1]
学科主题
materials ... [1]
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Amazing diffusion depth of ultra-thin hafnium oxide film grown on n-type silicon by lower temperature atomic layer deposition
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 169, 页码: 164-167
作者:
Lu, QH
;
Huang, R
;
Lan, XL
;
Chi, XW
;
Lu, C
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提交时间:2017/01/13
HfO2.
Hafnium silicide
Hafnium silicate
Diffusion depth
Tunnel contact
Hafnium interlayer method to improve the thermal stability of NiSi film
期刊论文
微电子工程, 2008
Yue, Xiong-wei
;
Zhang, Li-chun
;
Gao, Yu-zhi
;
Jin, Hai-yan
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提交时间:2015/11/10
nickel silicide
thermal stability
agglomeration
diffusion barrier
phase change
Schottky diode
PHASE
Light emitting semiconductor device and method for fabricating same
专利
专利号: US20010038103A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08
作者:
NITTA, KOICHI
;
OKAZAKI, HARUHIKO
;
MATSUNAGA, TOKUHIKO
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提交时间:2019/12/30
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