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HVPE反应器内输运现象的数值模拟研究
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=jmwy201005013&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQTEMP, 2012, 2012
李晖
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/06/19
HVPE反应器
同心圆喷头
输运现象
数值模拟
HVPE reactor
concentric-circular inlets
transport process
numerical simulation
TN304.055
HVPE反应器内输运现象的数值模拟研究
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=jmxz201005013&dbcode=CJFQ&dbname=CJFQ2010, 2012, 2012
李晖
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/19
HVPE反应器
同心圆喷头
输运现象
数值模拟
HVPE reactor
concentric-circular inlets
transport process
numerical simulation
TN304.2
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Effect of nanoporous GaN templates with different pore diameters on the subsequent thick GaN layers by HVPE
期刊论文
SOLID STATE COMMUNICATIONS, 2010, 卷号: 150, 期号: 3-4, 页码: 168-171
Wang, XZ
;
Yu, GH
;
Lin, CT
;
Cao, MX
;
Gong, H
;
Qi, M
;
Li, AZ
收藏
  |  
浏览/下载:61/0
  |  
提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
LIGHT-EMITTING-DIODES
BUFFER LAYER
GROWTH
FABRICATION
FILMS
Characterization of thick gan films directly grown on wet-etching patterned sapphire by hvpe
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 4
作者:
Hu Qiang
;
Wei Tong-Bo
;
Duan Rui-Fei
;
Yang Jian-Kun
;
Huo Zi-Qiang
收藏
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浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by hvpe
期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Wei, T. B.
;
Duan, R. F.
;
Wang, J. X.
;
Li, J. M.
;
Huo, Z. Q.
收藏
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Hvpe
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
High-Quality Thick GaN Overgrown on an Array of SiO2 Nanomasks by HVPE
期刊论文
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 12, 页码: H1000-H1002
Wang, XZ
;
Yu, GH
;
Lin, CT
;
Cao, MX
;
Lu, HF
;
Gong, H
;
Li, XL
;
Qi, M
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
LIGHT-EMITTING-DIODES
EPITAXIAL GAN
FABRICATION
FILMS
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Duan RF
;
Wei TB
收藏
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浏览/下载:298/42
  |  
提交时间:2010/03/08
GaN
HVPE
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/09
HVPE
GaN
nitridation
polarity
etching
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