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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1860-1864 作者:  Xu Yingqiang;  Yang Xiaohong;  Xu Yingqiang;  Han Qin;  Niu Zhichuan 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/11/23 Analysis for the angle dependence of GaAs based RCE photodetectors 会议论文 conference on asia-pacific optical and wireless communication (apoc 2002), shanghai, peoples r china, oct 15-18, 2002 作者:  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 GalnNAs  resonant cavity enhanced photodetectors  angle-selected tuning   High-temperature characteristics of gainnas/gaas single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 作者:  Pan, Z;  Li, LH;  Du, Y;  Lin, YW;  Wu, RH 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well lasers and photodetectors 会议论文 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2001), beijing, peoples r china, nov 12-15, 2001 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 OPERATION   High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 Pan Z; Li LH; Du Y; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：69/4  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASER  OPERATION  RANGE