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Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si
期刊论文
ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:
Feng, Meixin
;
Li, Zengcheng
;
Wang, Jin
;
Zhou, Rui
;
Sun, Qian
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/09/17
Ultraviolet lasers
Aluminum alloys
Aluminum gallium nitride
Aluminum nitride
Defects
Gallium alloys
III-V semiconductors
Lasers
Lattice mismatch
Quantum well lasers
Semiconductor alloys
Semiconductor quantum wells
Stresses
Thermal expansion
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6
作者:
Sun, Y.
;
Zhou, K.
;
Feng, M. X.
;
Li, Z. C.
;
Zhou, Y.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/09/17
x-ray-diffraction
high-power
gan
dislocation
relaxation
films
Optics
Stress analysis of transferable crack-free gallium nitride microrods grown on graphene/SiC substrate
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2016, 卷号: 185
作者:
Qi, Lin
;
Xu, Yu
;
Li, Zongyao
;
Zhao, En
;
Yang, Song
收藏
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浏览/下载:34/0
  |  
提交时间:2017/03/11
Growth of gan film on si (111) substrate using aln sandwich structure as buffer
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan, Xu
;
Wei, Meng
;
Yang, Cuibai
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
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浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan, Xu
;
Wei, Meng
;
Yang, Cuibai
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
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提交时间:2021/02/02
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
The effect of low temperature aln interlayers on the growth of gan epilayer on si (111) by mocvd
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
作者:
Luo, Weijun
;
Wang, Xiaoliang
;
Guo, Lunchun
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Gallium nitride crack
Low temperature aluminum nitride
Interlayer
Silicon
The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Guo, LC
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Li, JP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:83/1
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提交时间:2010/03/08
gallium nitride crack
low temperature aluminum nitride
interlayer
silicon
The effect of the alxga1-xn/ain buffer layer on the properties of gan/si(111) film grown by nh3-mbe
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 280, 期号: 3-4, 页码: 346-351
作者:
Zhang, NH
;
Wang, XL
;
Zeng, YP
;
Xiao, HL
;
Wang, JX
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Photoluminescence
Raman
Molecular beam epitaxy
Gallium nitride
Silicon
Growth of crack-free algan film on thin aln interlayer by mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40
作者:
Jin, RQ
;
Liu, JP
;
Zhang, JC
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Crystal morphology
X-ray diffraction
Metalorganic chemical vapor deposition
Aluminium gallium nitride
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