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一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器 专利
专利号: CN106300012A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
作者:  李沛旭;  徐现刚;  朱振;  张新;  苏建
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High power 808 nm laser diode with 62% wall-plug efficiency 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2011, 卷号: 31, 期号: SUPPL.1
作者:  Li, Peixu;  Jiang, Kai;  Zhang, Xin;  Tang, Qingmin;  Xia, Wei
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2000244067A, 申请日期: 2000-09-08, 公开日期: 2000-09-08
作者:  橋本 順一
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