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基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为
学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
余之峰
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/11/30
On the importance of antimony for temporal evolution of emission from self-assembled (InGa) (AsSb)/GaAs quantum dots on GaP(001)
期刊论文
New Journal of Physics, 2021, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 16
作者:
P. Steindl
;
E. M. Sala
;
B. Alen
;
D. Bimberg and P. Klenovsky
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Effect of Substrate Misorientation on the Structural and Optical Characteristics of In-Rich InGaAs/GaAsP Quantum Wells
期刊论文
Applied Sciences-Basel, 2021, 卷号: 11, 期号: 18, 页码: 15
作者:
Z. W. Li
;
Y. G. Zeng
;
Y. Song
;
J. W. Zhang
;
Y. L. Zhou
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2022/06/13
Inversion Boundary Annihilation in GaAs Monolithically Grown on On‐Axis Silicon (001)
期刊论文
ADVANCED OPTICAL MATERIALS, 2020, 卷号: 8, 期号: 22, 页码: 2000970
作者:
Keshuang Li
;
Junjie Yang
;
Ying Lu
;
Mingchu Tang
;
Pamela Jurczak
;
Zizhuo Liu
;
Xuezhe Yu
;
Jae-Seong Park
;
Huiwen Deng
;
Hui Jia
;
Manyu Dang
;
Ana M. Sanchez
;
Richard Beanland
;
Wei Li
;
Xiaodong Han
;
Jin-Chuan Zhang
;
Huan Wang
;
Fengqi Liu
;
Siming Chen
;
Alwyn Seeds
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2021/05/24
C2v and D3h symmetric InAs quantum dots on GaAs (001) substrate: Exciton emission and a defect field influence
期刊论文
AIP ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 8, 页码: 085126
作者:
Xiangjun Shang
;
Ben Ma
;
Haiqiao Ni
;
Zesheng Chen
;
Shulun Li
;
Yao Chen
;
Xiaowu He
;
Xingliang Su
;
Yujun Shi
;
Zhichuan Niu
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2021/06/28
Threshold MnAs thickness for the formation of ordered α/β stripes in MnAs/GaAs(001)
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 26, 页码: 265005
作者:
Maurizio Sacchi
;
Nicolas Casaretto
;
Leticia Coelho
;
;
Mahmoud Eddrief
;
Jialin Ma
;
Carlo Spezzani
;
Franck Vidal
;
Hailong Wang
;
Jianhua Zhao
;
Yunlin Zheng
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2021/05/26
Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix
期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 19, 页码: 19
作者:
P.Steindl
;
E.M.Sala
;
B.Alen
;
D.F.Marron
;
D.Bimberg
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/08/24
single-photon source,temperature-dependence,excitonic recombination,raman-spectra,oxygen donor,gaas,emission,luminescence,photoluminescence,localization,Materials Science,Physics
In-situ laser nano-patterning for ordered InAs/GaAs(001) quantum dot growth
期刊论文
Applied Physics Letters, 2018
作者:
Zhang, Wei
;
Peng, Changsi
;
Guo, Xiaoxiang
;
Huo, Dayun
;
Zhang, Feng
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/03/27
Optically pumped low threshold InAs/GaAs quantum-dot micropillar laser on Si (001) hollow substrate
会议论文
作者:
Zhang, Bin
;
Wei, Wei-Qi
;
Wang, Jian-Huan
;
Cong, Hui
;
Wang, Ting
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/05
Al0.17Ga0.83As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析
期刊论文
2018, 卷号: 67, 期号: 8, 页码: 33-38
作者:
王一
;
杨晨
;
郭祥
;
王继红
;
刘雪飞
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/02
AlGaAs
薄膜
退火
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