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A FinFET with one atomic layer channel 期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2020, 卷号: 11
作者:  Chen, Mao-Lin;  Sun, Xingdan;  Liu, Hang;  Wang, Hanwen;  Zhu, Qianbing
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/11/23
TID Response of Bulk Si PMOS FinFETs: Bias, Fin Width, and Orientation Dependence 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 7, 页码: 1320-1325
作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan)[ 1 ];  An, X (An, Xia)[ 1 ];  Li, GS (Li, Gensong)[ 1 ];  Chen, G (Chen, Gong)[ 1 ];  Li, M (Li, Ming)[ 1 ]
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/09/09
Miniaturization of CMOS 期刊论文
MICROMACHINES, 2019, 卷号: 10
作者:  Radamson, Henry H.;  He, Xiaobin;  Zhang, Qingzhu;  Liu, Jinbiao;  Cui, Hushan
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/12/30
Exploring the Designs of p-Type Piezoelectric FinFETs Based on NEGF Transport Simulations Comprising Phonon Scattering 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: 66, 期号: 11, 页码: 4982-4988
作者:  Yuxiong Long;   Jun Z. Huang;   Qianqian Huang;   Member,IEEE ;   Nuo Xu ;   Member,IEEE ;   Xiangwei Jiang ;   Member,IEEE ;   Zhi-Chuan Niu ;   David Esseni ;   Fellow,IEEE ;   Ru Huang;   Fellow,IEEE ;   Shu-Shen Li
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/07/30
Exploring the Designs of p-Type Piezoelectric FinFETs Based on NEGF Transport Simulations Comprising Phonon Scattering 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: 66, 期号: 11, 页码: 4982-4988
作者:  Yuxiong Long;   Jun Z. Huang;   Qianqian Huang;   Member,IEEE ;   Nuo Xu ;   Member,IEEE ;   Xiangwei Jiang ;   Member,IEEE ;   Zhi-Chuan Niu ;   David Esseni ;   Fellow,IEEE ;   Ru Huang;   Fellow,IEEE ;   Shu-Shen Li
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/07/30
A Study of High-Low Frequency Charge Pumping Method on Evaluating Interface Traps in Bulk FinFETs 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018
作者:  Ying Jin;  Yangyu Tian;  Kun Chen;  Jun Luo
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/20
Revised Analysis of Design Options and Minimum Subthreshold Swing in Piezoelectric FinFETs 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018, 卷号: 39, 期号: 3, 页码: 444-447
作者:  Hongjuan Wang;   Xiangwei Jiang ;   Member, IEEE ;   Nuo Xu;   Member, IEEE ;   Genquan Han ;   Member, IEEE ;   Yue Hao;   Senior Member, IEEE ;   Shu-Shen Li;   David Esseni;   Fellow, IEEE
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/11/18
Effects of ultra-thin Si-fin body widths upon SOI PMOS FinFETs 期刊论文
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2018, 卷号: 32, 期号: 15
作者:  Liaw, Yue-Gie;  Chen, Chii-Wen;  Liao, Wen-Shiang;  Wang, Mu-Chun;  Zou, Xuecheng
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/05
FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Zhao C(赵超);  Yin HX(殷华湘);  Zhong HC(钟汇才);  Zhang QZ(张青竹)
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/26
Optimization of Selective Growth of SiGe for Source/Drain in 14nm and Beyond Nodes FinFETs 期刊论文
International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2017
作者:  Henry Homayoun Radamson;  Zhu HL(朱慧珑);  Yin HX(殷华湘);  Qin ZL(秦长亮);  Luo J(罗军)
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/07/05

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