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Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Defect
Generation and suppression of deep level defects in inp
期刊论文
Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1476-1479
作者:
Zhao You-Wen
;
Dong Zhi-Yuan
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Annealing
Defect
Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating inp
期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-e385
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
;
Li, Ch. J.
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提交时间:2019/05/12
Point defects
Liquid encapsulated czochralski
Indium phosphide
Semi-insulating iii-v materials
Approach for defect suppression and preparation of high quality semi-insulating InP
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 275, 期号: 1-2, 页码: E381-E385
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
;
Li, Ch. J.
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提交时间:2021/02/02
Point defects
Liquid encapsulated Czochralski
Indium phosphide
Semi-insulating III-V materials
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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浏览/下载:220/68
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提交时间:2010/03/29
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
DEEP-LEVEL DEFECTS
ANNEALING AMBIENT
POINT-DEFECTS
FE
PHOSPHIDE
DONORS
Study on the perfection of in situ p-injection synthesis lec-inp single crystals
期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:
Zhou, XL
;
Zhao, YW
;
Sun, NF
;
Yang, GY
;
Xu, YQ
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Etch-pit density
Phosphorus-rich
Pl-mapping
Indium phosphide
Study on the perfection of in situ P-injection synthesis LEC-InP single crystals
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 17-20
作者:
Zhou XL
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浏览/下载:441/157
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提交时间:2010/03/09
etch-pit density
Fe-diffusion-induced defects in inp annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Jiao, JH
;
Zhao, JQ
;
Lin, LY
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Indium phosphide
Annealing
Semi-insulating
Defect
Diffusion
Investigation of Residual Donor Defects in Undoped and Fe-Doped LEC InP
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 455-458
Zhao Youwen
;
Sun Niefeng
;
S. Fung
;
C. D. Beling
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanying
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Preparation of Semi-Insulating Material by Annealing Undoped InP
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 285-289
Zhao Youwen
;
Dong Hongwei
;
Jiao Jinghua
;
Zhao Jianqun
;
Lin Lanying
;
Sun Niefeng
;
Sun Tongnian
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
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