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大连理工大学 [6]
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会议论文 [1]
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2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [3]
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Al2O3衬底上低温生长GaN薄膜的一种新方法
期刊论文
佳木斯大学学报(自然科学版), 2002, 卷号: 20, 页码: 5-8
作者:
窦宝锋
;
顾彪
;
史庆军
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提交时间:2020/01/02
ECR-PAMOCVD
衬底清洗方法
双缓冲层
通过RHEED原位监测GaN膜的ECR-PAMOCVD生长
学位论文
: 大连理工大学, 2001
作者:
刘军福
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提交时间:2020/01/02
GaN单晶膜
生长工艺
ECR_PAMOCVD外延生长C_GaN过程中等离子体微参数对衬底预处理的影响
学位论文
: 大连理工大学, 2000
作者:
王富国
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提交时间:2020/01/02
ECR_PAMOCVD
C_GaN
GaN薄膜低温外延的ECR-PAMOCVD技术
期刊论文
半导体技术, 1998, 页码: 38-40
作者:
徐茵
;
顾彪
;
秦福文
;
从吉远
;
杨树人
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提交时间:2020/01/02
氮化镓
MOCVD
等离子体低温外延
GaAs衬底上立方GaN的低温生长
期刊论文
稀有金属, 1998, 卷号: 22, 页码: 143-145
作者:
顾彪
;
徐茵
;
秦福文
;
丛吉远
;
张砚臣
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提交时间:2020/01/02
立方GaN
低温生长
活化氮源
ECR-PAMOCVD
Plasma pretreatment of GaAs substrates and ECR-PAMOCVD of cubic GaN
会议论文
2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (2nd ISBLLED), CHIBA, JAPAN
作者:
Gu, B
;
Xu, Y
;
Qin, FW
;
Wang, SS
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提交时间:2020/01/06
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