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Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui)
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/06/20
An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 1137-1141
作者:  Li, P (Li, Pei);  He, CH (He, Chaohui);  Guo, HX (Guo, Hongxia);  Guo, Q (Guo, Qi);  Zhang, JX (Zhang, Jinxin)
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/06/20
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 8
作者:  Li, P (Li, Pei);  Liu, MH (Liu, Mo-Han);  He, CH (He, Chao-Hui);  Guo, HX (Guo, Hong-Xia);  Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/12/11
An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:  Li, Pei;  Liu, Mo-Han;  He, Chao-Hui;  Guo, Hong-Xia;  Zhang, Jin-Xin
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
An Investigation of ELDRS in Different SiGe Processes 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2017, 卷号: 64, 页码: 1137-1141
作者:  Li, Pei;  He, Chaohui;  Guo, Hongxia;  Guo, Qi;  Zhang, Jinxin
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
SiGe HBT单粒子效应敏感区域分布与加固设计研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  李培
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UHV/CVD n/sup -/-type silicon epitaxy used for SiGe HBT device 期刊论文
2010, 2010
Huang Wentao; Chen Changchun; Li Xiyou; Shen Guanhao; Zhang Wei; Liu Zhihong; Chen Peiyi; Tsien Pei-Hsin
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Oxidation behavior of strained SiGe layer on silicon substrate in both dry and wet ambient 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1149/1.2823739, 2008
Li, C; Cai, KH; Zhang, Y; Lai, HK; Chen, SY; 李成
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/12/12
Oxidation behavior of strained SiGe layer on silicon substrate in both dry and wet ambient 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1149/1.2823739, 2008
Li, C.; Cai, K. H.; Zhang, Y.; Lai, H. K.; Chen, S. Y.; 陈松岩
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12
Kinetics of wet oxidation at 1000 degrees c of si0.5ge0.5 relaxed alloy 期刊论文
Semiconductor science and technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 484-487
作者:  Zhang, JP;  Hemment, PLF;  Parker, EHC
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