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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Analysis and Modeling of SiC JFET Bi-Directional Switches Parasitic Oscillation 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: 34, 页码: 8613-8625 作者:  Wang, Lina;  Yang, Junyi;  Ma, Haobo;  Wang, Zeyuan;  Olanrewaju, Kabir Oladele 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/30 Bi-directional switches (BDSs)  equivalent circuit model  ferrite ring  silicon carbide junction field-effect transistor (SiC JFET)  snubber capacitors