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Cation Vacancy in Wide Bandgap III-Nitrides as Single-Photon Emitter: A First-Principles Investigation
期刊论文
Advanced Science, 2021, 卷号: 8, 期号: 18
作者:
H. Zang
;
X. Sun
;
K. Jiang
;
Y. Chen
;
S. Zhang
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2022/06/13
Polarity Control and Nanoscale Optical Characterization of AlGaN-Based Multiple-Quantum-Wells for Ultraviolet C Emitters
期刊论文
ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5335-5342
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Dai, Yijun
;
Cui, Mei
;
Li, Kuang-hui
收藏
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浏览/下载：70/0
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提交时间：2020/12/16
LIGHT-EMITTING-DIODES
GAN GROWTH
PARAMETERS
WATER
AlN材料中缺陷调控及物性研究
学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:
贲建伟
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2020/08/24
AlN
表面/界面
MOCVD
高温热处理
折射率
Patterned color converting element for laser diode
专利
专利号: US10274139, 申请日期: 2019-04-30, 公开日期: 2019-04-30
作者:
GOUTAIN, ERIC
收藏
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浏览/下载：18/0
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提交时间：2019/12/23
一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法
专利
专利号: CN109149361A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
作者:
蔡玮
;
王永进
收藏
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浏览/下载：8/0
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提交时间：2020/01/18
Study of electronic transport properties in AlGaN/AlN/GaN/AlGaN double-heterojunction transistor
期刊论文
2019, 卷号: 126
作者:
Li, Yao
;
Zhang, Jinfeng
收藏
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浏览/下载：2/0
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提交时间：2019/12/20
Strain modulated nanostructure patterned AlGaN-based deep ultraviolet multiple-quantum-wells for polarization control and light extraction efficiency enhancement
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 43
作者:
Xu, Houqiang
;
Long, Hanling
;
Jiang, Jie'an
;
Sheikhi, Moheb
;
Li, Liang
收藏
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浏览/下载：50/0
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提交时间：2019/12/18
III-NITRIDE BLUE
EMITTING-DIODES
OPTICAL-PROPERTIES
ALN
SURFACE
BUFFER
MQWS
LEDS
GAN
Suppressing the compositional non-uniformity of AlGaN grown on a HVPE-AlN template with large macro-steps
期刊论文
Crystengcomm, 2019, 卷号: 21, 期号: 33, 页码: 4864-4873
作者:
K.Jiang
;
X.J.Sun
;
J.W.Ben
;
Z.M.Shi
;
Y.P.Jia
收藏
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浏览/下载：1/0
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提交时间：2020/08/24
potential fluctuations,gan films,alxga1-xn,sapphire,quality,localization,relaxation,inversion
Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles
期刊论文
Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Z.M.Shi
;
X.J.Sun
;
Y.P.Jia
;
X.K.Liu
;
S.L.Zhang
收藏
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浏览/下载：0/0
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提交时间：2020/08/24
van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics
Fast Growth of Strain-Free AIN on Graphene-Buffered Sapphire
期刊论文
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2018, 卷号: 140, 期号: 38, 页码: 11935-11941
作者:
Qi Y
;
Wang YY
;
Pang ZQ(庞振乾)
;
Dou ZP
;
Wei TB
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浏览/下载：79/0
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提交时间：2018/10/30
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