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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 AlGaInAs近红外半导体激光器外延结构的退化机理研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者:  宋悦 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/09/23 AlGaInAs应变量子阱  铟离析  载流子局域化中心  热膨胀系数  热处理   光半导体装置 专利 专利号: CN103138156A, 申请日期: 2013-06-05, 公开日期: 2013-06-05 作者:  泷口透 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光器及其制造方法 专利 专利号: CN101593930B, 申请日期: 2011-07-06, 公开日期: 2011-07-06 作者:  泷口透 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13 一种偏振无关半导体光放大器 专利 专利号: CN1564407A, 申请日期: 2005-01-12, 公开日期: 2005-01-12 作者:   收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制 期刊论文 中国激光, 2005, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 161-163 作者:  韦欣 收藏  |  浏览/下载：194/8  |  提交时间：2010/11/23 带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制 期刊论文 光子学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 496-498 作者:  韦欣 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23