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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文 Chinese Physics B, 2017, 期号: 09, 页码: 393-399 作者:  Liu Y(刘艳);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Cui P(崔鹏);  Fu C(付晨) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/12 Al Ga N/Al N/Ga N heterostructure field-effect transistors(HFETs)  parasitic source resistance  polarization Coulomb field scattering   The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418 Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 2DEG  MOCVD  semiconducting III-V materials  HEMT  power devices  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  SAPPHIRE  ALGAN  FIELD  GAS