×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
上海硅酸盐研究所 [3]
力学研究所 [2]
物理研究所 [2]
金属研究所 [2]
宁波材料技术与工程研... [1]
山东大学 [1]
更多...
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [1]
发表日期
2022 [1]
2019 [2]
2018 [1]
2016 [1]
2015 [2]
2012 [1]
更多...
学科主题
Biochemist... [1]
Chemistry [1]
Polymer Sc... [1]
力学 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of Sintering Additives on Microstructure and Mechanical Properties of Hot-Pressed alpha-SiC Ceramics
期刊论文
METALLURGICAL AND MATERIALS TRANSACTIONS A-PHYSICAL METALLURGY AND MATERIALS SCIENCE, 2022, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 1188-1199
作者:
Zhu, Yabin
;
Qin, Zixuan
;
Chai, Jianlong
;
Shen, Tielong
;
Zhou, Youfu
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2022/04/11
Initial Test of Optoelectronic High Power Microwave Generation From 6H-SiC Photoconductive Switch
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2019, 卷号: 40, 期号: 7, 页码: 1167
作者:
Wu, Qilin
;
Zhao, Yuxin
;
Xun, Tao
;
Yang, Hanwu
;
Huang, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2019/12/26
6H silicon carbide (6H-SiC)
class B microwave power amplifier (MPA)
photoconductive semiconductor switches (PCSS)
microwave photonics (MWP)
The Test of a High-Power, Semi-Insulating, Linear-Mode, Vertical 6H-SiC PCSS
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2019, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 1837
作者:
Wu, Qilin
;
Xun, Tao
;
Zhao, Yuxin
;
Yang, Hanwu
;
Huang, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2019/12/26
6H silicon carbide (6H-SiC)
high-voltage encapsulation
photoconductive semiconductor switch (PCSS)
Residual thermal stress of SiC/Ti3SiC2/SiC joints calculation and relaxed by postannealing
期刊论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF APPLIED CERAMIC TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1157-1165
作者:
Zhou, Xiaobing
;
Li, Yifan
;
Huang, Qing
;
Yang, Hui
;
Ding, Shurong
收藏
  |  
浏览/下载:133/0
  |  
提交时间:2018/12/04
Ti3sic2 Tape Film
Raman-spectroscopy
Silicon-carbide
Sic Ceramics
Mechanical-properties
Sintering Technique
6h Polytype
Temperature
Composites
Field
Extraction of Anisotropic Mechanical Properties From Nanoindentation of SiC-6H Single Crystals
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED MECHANICS-TRANSACTIONS OF THE ASME, 2016, 卷号: 83, 期号: 9, 页码: 91003
作者:
Datye A
;
Li L
;
Zhang W
;
Wei YJ(魏宇杰)
;
Gao YF
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2016/12/08
nanoindentation
elastic and plastic anisotropy
basal slip
A competitive lattice model Monte Carlo method for simulation competitive growth of different polytypes in close-packed crystals: 4H and 6H silicon carbide
期刊论文
Computational Materials Science, 2015, 期号: 100, 页码: 159
作者:
Guo HJ(郭慧君)
;
Huang W(黄维)
;
Liu X(刘熙)
;
Yang JH(杨建华)
;
Shi EW(施尔畏)
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2016/08/15
Enhanced output power of near-ultraviolet LEDs with AlGaN/GaN distributed Bragg reflectors on 6H–SiC by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2015, 卷号: Vol.85, 页码: 482-487
作者:
Pengcheng Tao
;
Hongwei Liang
;
Xiaochuan Xia
;
Yang Liu
;
Jianhua Jiang
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/02/27
Silicon
carbide
Ultraviolet
light-emitting
diode
Distributed
Bragg
reflector
SiNx
interlayer
The Mean Projected Range and Range Straggling of Er Ions Implanted in 6h Silicon Carbide
期刊论文
ADVANCED MATERIALS RESEARCH II, PTS 1 AND 2, 2012, 卷号: 463-464, 页码: 798-801
作者:
Qin, Xi-Feng
;
Wang, Hui-Ning
;
Ji, Zi-Wu
;
Wang, Feng-Xiang
;
Fu, Gang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/23
Er ion implantation
6H-SiC
projected range
range straggling
Rutherford backscattering technique
Factors affecting the formation of misoriented domains in 6H-SiC single crystals grown by PVT method
期刊论文
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 357
Peng, TH
;
Yang, H
;
Jian, JK
;
Wang, WJ
;
Wang, WY
;
Chen, XL
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2013/09/17
SEEDED SUBLIMATION GROWTH
PHYSICAL VAPOR TRANSPORT
SILICON-CARBIDE
TEMPERATURE-GRADIENT
SIC POLYTYPES
BOULES
6H
Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4h-sic
期刊论文
Chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
作者:
Xin, G
;
Sun, GS
;
Li, JM
;
Zhang, YX
;
Lei, W
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Ion implantation
Silicon carbide
Phosphorus
Photoluminescence
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace