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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 TID Response and Radiation-Enhanced Hot-Carrier Degradation in 65-nm nMOSFETs: Concerns on the Layout-Dependent Effects 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2021, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 1565-1570 作者:  Ren, ZX (Ren, Zhexuan);  1An, X (An, Xia) 1;  Li, GS (Li, Gensong) 1;  Liu, JY (Liu, Jingyi) 1;  Xun, MZ (Xun, Mingzhu) 2 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/09/22 65 nmhot-carrier injection (HCI)layout-dependent effect (LDE)nMOSstressthreshold voltagetotal ionizing dose (TID)