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兰州大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1980 [1]
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Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响
期刊论文
半导体学报, 1980, 期号: 3, 页码: 187-191
作者:
陈光华
;
王印月
;
吴锦华
;
甘润今
;
张仿清
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/04/27
跳跃电导:7023
化合物半导体:5209
硫系玻璃:3514
变程跳跃导电:2095
态密度:1704
非晶态半导体:1319
相关能:875
兰州大学:775
低温电导:630
负相关:613
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