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| SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 姬庆刚
  收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| 电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响 期刊论文
原子核物理评论, 2019, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 367-372
作者: 姬庆刚; 刘杰; 李东青; 刘天奇; 叶兵
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/11/18
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| 辐照离子注量率对单粒子效应影响研究 及微通道板离子探测器研制 学位论文
北京: 中国科学院大学;中国科学院近代物理研究所, 2018
作者: 罗捷
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2018/12/28
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| 重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究 期刊论文
原子核物理评论, 2018, 卷号: 35, 页码: 66-71
作者: 刘天奇; 习凯; 侯明东; 叶兵; 姬庆刚
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2018/10/08 |
| 隧穿场效应晶体管结构优化及非易失性SRAM性能研究 学位论文
2018
作者: 张文豪
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/11/26
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| 静态随机存储器单元的抗干扰电路和存储元件 专利
专利号: CN201410337061.7, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2014-11-19
作者: 韩郑生; 刘梦新; 刘鑫; 赵发展
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2018/02/07 |
| PMOS晶体管工艺参数变化对SRAM单元翻转恢复效应影响的研究 期刊论文
电子与信息学报, 2017, 卷号: 第39卷, 页码: 2755-2762
作者: 张景波; 吴秀龙; 丁朋辉; 彭春雨; 杨志平
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/17
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| 一种应用于静态随机存储器的锁存型流水结构高速地址译码器 专利
申请日期: 2017-01-01,
作者: 徐晨杰; 张景波; 吴秀龙; 蔺智挺; 陈军宁
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/22 |
