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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术 期刊论文 辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90 作者:  王思源1,2;  孙静2;  陆妩1,2 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/03/09 金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOSFET）  剂量计  差分电路  灵敏度  总剂量   一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利 申请日期: 2018-05-15, 作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/08/06 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09 作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/08/06 γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437 作者:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/01/18 纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性   p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 期刊论文 物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 6, 页码: 812-818 作者:  高博;  余学峰;  任迪远;  崔江维;  兰博 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  60Co gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究 期刊论文 电子显微学报, 2007, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 10,312_321 作者:  徐秋霞;  段晓峰;  刘海华;  刘邦贵 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/05/26 应变硅  金属氧化物半导体场效应晶体  管  大角度会聚束电子衍射   一种提高SOI-PMOS器件背栅阈值电压的方法 专利 专利号: CN201110209346.9, 公开日期: 2011-12-07 作者:  梅博;  毕津顺;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2012/11/20