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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ge对非晶硫系化合物半导体低温跳跃电导的影响 期刊论文 半导体学报, 1980, 期号: 3, 页码: 187-191 作者:  陈光华;  王印月;  吴锦华;  甘润今;  张仿清 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 跳跃电导:7023  化合物半导体:5209  硫系玻璃:3514  变程跳跃导电:2095  态密度:1704  非晶态半导体:1319  相关能:875  兰州大学:775  低温电导:630  负相关:613