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全无机钙钛矿CsPbX3纳米材料生长及其小型化激光器研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  孙明飞
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垂直腔面发射激光器封装结构 专利
专利号: CN209561862U, 申请日期: 2019-10-29, 公开日期: 2019-10-29
作者:  刘勇
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一种808nm激发、Li+掺杂KGdF4:Nd3+纳米发光材料及其制备方法 专利
专利号: CN106978179B, 申请日期: 2019-10-25, 公开日期: 2019-10-25
作者:  王友法;  罗蕾;  戴红莲
收藏  |  浏览/下载:43/0  |  提交时间:2019/12/23
半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106887789B, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
作者:  黄莹;  刘建平;  程洋;  黄思溢;  张书明
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半导体激光器及其激光谐振腔、光学限制结构 专利
专利号: CN110323670A, 申请日期: 2019-10-11, 公开日期: 2019-10-11
作者:  刘建平;  江灵荣;  田爱琴;  杨辉
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一种发光效率增强的半导体激光器 专利
专利号: CN106410605B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:  魏志鹏;  方铉;  牛守柱;  唐吉龙;  王登魁
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半导体激光光源 专利
专利号: CN110289555A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
作者:  刘安金;  杨礴
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉
收藏  |  浏览/下载:33/0  |  提交时间:2019/12/26
基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
作者:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平
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