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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种用于飞行时间质谱的磁控溅射团簇离子源 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201310291516.1, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-01-14 作者:  唐紫超;  秦正波;  张世宇 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2015/11/16 磁控溅射气体团簇源中团簇形成的DSMC研究 期刊论文 原子与分子物理学报, 2011, 期号: 6, 页码: 1032-1036 作者:  张连华;  潘小东;  李公平;  王晓冬;  柳学敏 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/07/18 DSMC方法  磁控溅射团簇源  团簇的尺寸   载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼 期刊论文 核技术, 2005, 期号: 03 李公平,张小东,丁宝卫,丁印锋,刘正民,朱德彰,张志滨,包良满 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/07/04 钼团簇束  单晶硅  碰撞沉积  二硅化钼(MoSi2)   载能钼团簇束与单晶硅碰撞室温下合成二硅化钼 期刊论文 核技术, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 221-223 作者:  李公平;  张小东;  丁宝卫;  丁印锋;  刘正民 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/07/18 钼团簇束  单晶硅  碰撞沉积  二硅化钼(MoSi2)   铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜形貌和方块电阻 期刊论文 兰州大学学报, 2004, 期号: 5, 页码: 31-33 作者:  李公平;  何山虎;  丁宝卫;  张小东;  丁印锋 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 铜团簇束沉积  单晶硅  薄膜形貌  薄膜方块电阻   铜团簇束在硅上碰撞沉积的薄膜表面能谱分析 期刊论文 原子与分子物理学报, 2004, 期号: 2, 页码: 191-194 作者:  李公平;  丁宝卫;  张小东;  丁印锋;  刘正民 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/07/18 铜团簇束  碰撞沉积  单晶硅  XPS谱  薄膜中的原子结合能   用于串列加速器的微团簇离子源研究 期刊论文 兰州大学学报/Lanzhou Daxue Xuebao/Journal of Lanzhou University, 2002, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 28-32 作者:  丁宝卫;  李公平;  张小东;  赵力;  刘正民 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 微团簇  气体放电  磁控溅射  液氮冷凝