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| 金属硫化物电极材料的设计与电化学储钠性能的研究 学位论文
2018
作者: 杨青青
  收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李巍
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/06/05
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| LPCVD SiNx/AlGaN/GaN MISHEMTs器件界面态与电流崩塌现象的研究 学位论文
2017
作者: 余堃
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/11/26
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| AlGaN/GaN 功率器件缓冲层陷阱的分析方法 期刊论文
半导体技术, 2016
邓小社; 梁亚楠; 贾利芳; 樊中朝; 何志; 张韵; 张大成
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/12/03
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| Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102427086A, 申请日期: 2013-09-25, 公开日期: 2014-01-20
作者: 蔡勇 ; 张宝顺
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2014/01/20 |
| Ⅲ族氮化物MISHEMT器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102403349A, 申请日期: 2013-09-25, 公开日期: 2014-01-20
作者: 蔡勇; 张宝顺
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2014/01/20 |
| 一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法 专利
专利号: CN201010162263.4, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2011-11-09
作者: 刘新宇; 彭铭曾; 郑英奎; 刘果果
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/10/12 |
| AlGaN/GaN HEMT 电流崩塌研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
万晓佳
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2013/06/24 |
| 基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响 期刊论文
微纳电子技术, 2012, 期号: 02, 页码: 78-82+133
作者: 余曙芬; 陈延湖; 李惠军; 冯尚功; 郭琪
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/23
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| 阳极腐蚀法制备发光多孔硅的正电子湮没研究 期刊论文
广西大学学报(自然科学版), 2011, 期号: 5, 页码: 863-866
作者: 梁立欢; 李卓昕; 王宝义; 吴伟明
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2015/12/25
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