QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LP─MOCVD生长InGaAs_GaAs应变超晶格 期刊论文 兰州大学学报, 1994, 期号: 3, 页码: 2 作者:  崔敬忠;  陈光华;  张仿清;  甘润今;  杨树人 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/27 InGaAs／GaAs:6545  应变超晶格:5446  MOCVD生长:3858  结构参数:1732  卫星峰:1651  Ｘ射线:1561  摇摆曲线:1415  生长条件:997  光电子:866  能带结构:824