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一种高速垂直腔面发射激光器的分子束外延生长方法 专利
专利号: CN105337166A, 申请日期: 2016-02-17, 公开日期: 2016-02-17
作者:  李密锋;  汤宝
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制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利号: CN102684070B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
作者:  罗帅;  季海铭;  杨涛
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应变补偿和生长停顿对InAs/InAlGaAs/InP纳米结构形貌的影响 期刊论文
中国科学. 物理学, 力学, 天文学, 2012, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 237-241
杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国
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GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟 期刊论文
2010, 2010
何为; 郝智彪; 罗毅; He Wei; Hao Zhibiao; Luo Yi
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InAs/GaSb II型超晶格红外探测器材料分子束外延生长研究 学位论文
硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009
李健
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以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利号: CN1892986A, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2007-01-10
作者:  王元立;  吴巨;  金鹏;  叶小玲;  张春玲
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一种III族氮化物衬底的生产设备 专利
专利号: CN1797711A, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2006-07-05
作者:  刘祥林;  焦春美
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透镜形量子点的盖层和高宽比对应变场分布的影响 期刊论文
高技术通讯, 2005, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 57-61
刘玉敏; 俞重远; 杨红波; 黄永箴
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利号: CN1549411A, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2004-11-24
作者:  刘金龙;  李树深;  牛智川
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The fabrication and properties of InAs/GaAs columnal islands 期刊论文
物理学报, 2004, 期号: 1, 页码: 301-305
作者:  Zhu TW(朱天伟);  Xu B(徐波);  He J(何军);  Zhao FA(赵凤瑷);  Zhang CL(张春玲)
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