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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究 期刊论文 《航天器环境工程》, 2018, 卷号: 35, 页码: 462-467 作者:  余永涛[1] 陈毓彬[1] 水春生[1];  王小强[1] 冯发明[2];  费武雄[1] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 单粒子效应 大容量SRAM  抗辐射加固 Bulk  CMOS工艺 SOI  CMOS工艺 重离子射程   典型运放、比较器的电离和位移损伤的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者:  姜柯 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2015/06/15 60Coγ辐照源  质子辐射  电子辐射  中子辐射  双极器件  辐射效应   SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013 作者:  张晋新 收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2013/06/03 锗硅异质结双极晶体管  单粒子效应  三维数值仿真  激光微束试验  电荷收集  敏感区域定位   SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者:  李明 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/05/24 SOI  SRAM  总剂量辐射效应  评估技术  实验方法   不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应 期刊论文 2010, 2010 李冬梅; 皇甫丽英; 王志华; 勾秋静; LI Dong-mei; HUANGFU Li-ying; GOU Qiu-jing; WANG Zhi-hua 收藏  |  浏览/下载：4/0