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双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制 期刊论文
发光学报, 2015, 期号: 04, 页码: 480-484
作者:  端鹏飞;  胡永生;  郭晓阳;  刘星元;  范翊
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SiGe异质结双极型晶体管新结构研究 学位论文
: 西安理工大学, 2015
作者:  武瑜
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AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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沟槽型发射极SiGe异质结双极化晶体管新结构研究 期刊论文
2014, 卷号: 63, 页码: 148503
作者:  Liu, Jing;  Wu, Yu;  Gao, Yong
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一种高频压控振荡器 专利
申请日期: 2012-10-12,
作者:  吕志强;  陈岚
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npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构 专利
专利号: CN200810103253.6, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2009-10-07
作者:  金智;  刘新宇
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NPN异质结双极型晶体管激光器 专利
专利号: CN101752789A, 申请日期: 2010-06-23, 公开日期: 2010-06-23
作者:  梁松;  朱洪亮;  王圩
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一种低噪声SiGe微波单片放大电路 期刊论文
2010, 2010
鲁亚诗; 张伟; 李高庆; 刘道广; 李希有; 鲁勇; 刘爱华; 张翔; LU Ya-shi; ZHANG Wei; LI Gao-qing; LIU Dao-guang; LI Xiyou; LU Yong; LIU Ai-hua; ZHANG Xiang
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UHV/CVD生长本征硅外延层的研究 期刊论文
2010, 2010
岳磊; 陈长春; 许军; 刘志弘; 钱佩信; YUE Lei; CHEN Chang-chun; XU Jun; LIU Zhi-hong; QIAN Pei-xin
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一种新型自适应偏置线性功率放大器 期刊论文
2010, 2010
吴拓; 陈弘毅; 钱大宏; WU Tuo; CHEN Hong-yi; QIAN Da-hong
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