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HWCVD制备硅钨氧薄膜及阻变特性研究 学位论文
: 大连理工大学, 2018
作者:  王若颖
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电爆制备金属纳米颗粒的设备开发 学位论文
2018
作者:  宋林轩
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一种提取金属氧化物基阻变存储器载流子输运通道的方法 专利
专利号: CN201410541573.5, 申请日期: 2017-06-16, 公开日期: 2015-02-18
作者:  卢年端;  李泠;  刘明;  孙鹏霄
收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2018/04/27
一种降低阻变存储器电铸电压的方法 专利
专利号: CN201410222652.X, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2014-07-30
作者:  吕杭炳;  刘琦;  刘明;  刘红涛;  龙世兵
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TiOx/Al2O3叠层结构薄膜的原子层沉积(ALD) 制备及阻变性能研究 学位论文
2017
作者:  刘伟霞
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/11/26
一种测量阻变存储器激活能的方法 专利
专利号: CN201410144275.2, 申请日期: 2016-09-28, 公开日期: 2014-07-16
作者:  卢年端;  李泠;  刘明;  孙鹏霄;  王明
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2017/06/09
Ni/HfO_2/Pt阻变单元特性与机理的研究 期刊论文
2016, 2016
庞华; 邓宁; Pang Hua; Deng Ning
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一种制备纳米器件的方法 专利
专利号: CN201310491769.3, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-01-08
作者:  龙世兵;  张美芸;  王国明;  李阳;  王明
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简单金属氧化物薄膜电阻开关效应的机理研究 学位论文
: 天津大学, 2016
作者:  严慧羽
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26
阻变存储器及其制造方法 专利
专利号: CN201110075379.9, 申请日期: 2015-03-04, 公开日期: 2012-10-03
作者:  余兆安;  王明;  张满红;  霍宗亮;  谢常青
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