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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 埋入SiO↓2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光 期刊论文 物理学报/Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 1997, 卷号: 46, 期号: 1, 页码: 203-208 作者:  王印月;  杨映虎;  郭永平;  甘润今;  何源 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 退火温度:6215  复合膜:4540  SiO_2薄膜:3938  电学性质:3461  纳米Ge:2118  光学带隙:1542  室温可见光致发光:1402  晶粒尺寸增大:1376  室温光致发光:1352  喇曼散射:835