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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVI法制备SiO_2/SiO_2复合材料 期刊论文 http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=HKGJ200701019&dbname=CJFQ2007, 2012, 2012 郑勇; 张立同; 陈照峰; 成来飞; 徐永东 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/06/16 复合材料  石英玻璃  MOCVI  制备条件   硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1995, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 783-788 作者:  张仿清;  张文军;  胡博;  谢二庆;  陈光华 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 金刚石膜:7630  掺杂金刚石薄膜:4379  光电导特性:3532  电阻率:1894  缺陷态:1513  硼掺杂:1493  掺杂浓度:1034  电导率:604  原子:557  化学气相沉积法:507  Boron doped diamond film  Photoconductive characteristics