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| 低温808 nm高效率半导体激光器 期刊论文
发光学报, 2022, 卷号: 43, 期号: 5
作者: 吴顺华; 刘国军; 王贞福; 李特
  收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2022/06/08
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 陈思远
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2020/11/19
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| 全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 田灿灿
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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| 垂直腔面发射激光器外延结构及其制备方法 专利
专利号: CN109728502A, 申请日期: 2019-05-07, 公开日期: 2019-05-07
作者: 田宇; 韩效亚; 吴真龙; 杜石磊
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 液相等离子喷涂制备Au-WO_3复合涂层及其气敏机理 期刊论文
表面技术, 2019, 卷号: 48, 期号: 04, 页码: 84-90
作者: 陈晓晓; 姚阳光; 谭礼明; 顾青山; 袁建辉
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/12/18 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310031156.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2014-08-06
作者: 邓坚; 罗军 ; 赵超
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/03/22 |
| GaN基新型结构激光器及其制作方法 专利
专利号: CN107742825A, 申请日期: 2018-02-27, 公开日期: 2018-02-27
作者: 孙慧卿; 汪鑫; 郭志友; 张秀; 侯玉菲
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
现代应用物理, 2018, 卷号: 8, 期号: 4
作者:
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2018/07/20
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| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者:
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2018/10/18
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| 基于表面等离激元的硅基微结构材料红外光学特性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/09/23
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