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2016 [1]
2015 [1]
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提高GaN基垂直结构LED发光效率的研究
学位论文
2016, 2014
李晓莹
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/20
氮化镓
垂直结构发光二极管
In组分渐变多量子阱
低压激光剥离
侧壁粗化。
GaN
vertical-structured light-emitting diodes
graded-indium content multiple quantum wells
low-pressure laser lift-off
sidewall texturing
侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究
期刊论文
2015
李晓莹
;
朱丽虹
;
邓彪
;
张玲
;
刘维翠
;
曾凡明
;
刘宝林
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2016/05/17
GaN
发光二极管
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
侧壁粗化
出光效率
GaN
light-emitting diode(LED)
inductively coupled plasma(ICP)etching
sidewall texturing
light output efficiency
焊剂带约束电弧超窄间隙焊接方法研究
学位论文
2007
作者:
郑韶先
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2020/11/05
超窄间隙焊接
焊剂片约束电弧
焊剂带约束电弧
电弧特性
焊缝成形
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
作者:
伊晓燕
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浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2011/08/31
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