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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2015, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/02/23 GaN基LED  蒙托卡罗方法  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  欧姆接触  侧向外延过生长  极化效应  内量子效率。  GaN-based LED  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  InGaN/GaN MQW  ohmic contact  LEO technique  polarization effect   提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   第Ⅲ族元素氮化物层的单步骤悬挂和侧向外延过生长 专利 专利号: CN1378702A, 申请日期: 2002-11-06, 公开日期: 2002-11-06 作者:  孔华双;  J·A·艾迪芒德;  K·W·哈彼尔勒恩;  D·T·埃米尔森 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18