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| 管道内壁类金刚石涂层的可控制备及其性能研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2022 作者: 王新宇
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| GaAs/Si低温直接键合技术研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017 刘雨生
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| 采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2014 朱智源; 于民; 胡安琪; 王少南; 缪旻; 陈兢; 金玉丰
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2015/11/12
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| 基于干湿法活化相结合的硅-硅低温键合 期刊论文 2013 王凌云; 王申; 陈丹儿; 梁楚尉; 周如海; 蔡建法; 杜晓辉
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2016/05/17
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| 硅硅低温键合技术研究 学位论文 2012, 2012 陶巍
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| 三维电阻转换存储芯片制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102122636A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13 刘旭焱; 张挺; 刘卫丽; 宋志棠; 杜小峰; 顾怡峰; 成岩
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102064134A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18 刘旭焱; 张挺; 刘卫丽; 宋志棠; 杜小峰; 顾怡峰; 成岩
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2012/01/06 |
| 一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101924069A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22 马小波; 张挺; 刘卫丽; 宋志棠; 刘旭焱; 杜小锋
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| 低温等离子体键合与新型高速衬底材料制备 学位论文 博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2010 马小波
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2012/03/06
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| SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:57/0  |  提交时间:2012/03/06
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