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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的方法及其专用装置 专利 专利类型: 发明专利, 申请日期: 2012-12-12, 公开日期: 2012-12-12 肖金泉, 高俊华, 闻立时, 张林, 石南林, 宫骏 and 孙超 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/06/06 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30 肖金泉, 高俊华, 闻立时, 张林, 石南林, 宫骏 and 孙超 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/06/06 中频孪生靶非平衡磁控溅射纳米硅薄膜的研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2012 高俊华 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2013/04/12 中频孪生靶  非平衡磁控溅射  纳米硅薄膜  磁镜场  middle frequency dual-target  unbalanced magnetron sputtering  nc-Si film  magnetic mirror field   中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能(英文) 期刊论文 材料科学与工程学报,Vol. 29, No.3,2011, 311-326, 2011, 卷号: 29, 页码: 311-326 作者:  牟宗信 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 中频孪生靶非平衡磁控溅射制备氮化硅薄膜及其性能 期刊论文 材料科学与工程学报, 2011, 卷号: 29, 页码: 331 作者:  王春;  牟宗信;  刘冰冰;  臧海荣;  牟晓东 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 氮化硅薄膜  折射率  磁控溅射  红外光谱   一种冷却金属镓靶中频孪生磁控溅射装置 专利 专利号: ZLCN200610124959.1, 申请日期: 2006-01-01, 作者:  付德君;  邹长伟;  刘传胜;  郭立平;  彭友贵 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05