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天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究 期刊论文
四川大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 48.0, 期号: 003, 页码: 651-654
作者:  范立伟;  卢铁城;  敦少博;  胡又文;  陈青云
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天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究 期刊论文
四川大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 48.0, 期号: 003, 页码: 651-654
作者:  范立伟;  卢铁城;  敦少博;  胡又文;  陈青云
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Ge纳米晶制备及中子嬗变掺杂的研究 学位论文
: 四川大学, 2006
作者:  胡强
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半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 03
作者:  文湘鄂;  马莉;  李世清
收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2019/12/05
用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷 期刊论文
半导体光电, 1999, 期号: 03
作者:  刘青
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用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷 期刊论文
半导体光电, 1999
作者:  刘青
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/05
半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷 期刊论文
半导体光电, 1999
作者:  文湘鄂;  马莉;  李世清
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/05
磷化铟材料的中子嬗变掺杂 期刊论文
半导体光电, 1998, 期号: 03
作者:  易正亮;  鄢和平;  李世清
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的中子嬗变掺杂 学位论文
1998
作者:  易正亮
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磷化铟材料的中子嬗变掺杂 期刊论文
半导体光电, 1998, 卷号: 19
作者:  易正亮;  鄢和平;  李世清
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/12/05


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