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| 天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究 期刊论文 四川大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 48.0, 期号: 003, 页码: 651-654 作者: 范立伟; 卢铁城; 敦少博; 胡又文; 陈青云
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| 天然锗纳米晶的制备与中子嬗变掺杂研究 期刊论文 四川大学学报:自然科学版, 2011, 卷号: 48.0, 期号: 003, 页码: 651-654 作者: 范立伟; 卢铁城; 敦少博; 胡又文; 陈青云
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| Ge纳米晶制备及中子嬗变掺杂的研究 学位论文 : 四川大学, 2006 作者: 胡强
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| 半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷 期刊论文 半导体光电, 1999, 期号: 03 作者: 文湘鄂; 马莉; 李世清
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| 用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷 期刊论文 半导体光电, 1999, 期号: 03 作者: 刘青
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| 用正电子湮没技术研究NTDInP中的诱生缺陷 期刊论文 半导体光电, 1999 作者: 刘青
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| 半导体中子嬗变掺杂中的诱生缺陷 期刊论文 半导体光电, 1999 作者: 文湘鄂; 马莉; 李世清
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| 磷化铟材料的中子嬗变掺杂 期刊论文 半导体光电, 1998, 期号: 03 作者: 易正亮; 鄢和平; 李世清
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| Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的中子嬗变掺杂 学位论文 1998 作者: 易正亮
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| 磷化铟材料的中子嬗变掺杂 期刊论文 半导体光电, 1998, 卷号: 19 作者: 易正亮; 鄢和平; 李世清
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