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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者:  Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory  Total ionizing dose  Single event effect  TCAD simulation   The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文 Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/10/08 Charge sharing  single-event upset (SEU)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103 作者:  Zhao, Pei-Xiong;  Liu, Tian-Qi;  Ye, Bing;  Luo, Jie;  Sun, You-Mei 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/10/08 flash memories  heavy ions  synergistic effect  total ionizing dose