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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pressure tuned ferroelectric reentrance in nano-BaTiO3 ceramics 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 112, 期号: 12 Zhu, JL; Lin, S; Feng, SM; Wang, LJ; Liu, QQ; Jin, CQ; Wang, XH; Zhong, CF; Li, LT; Cao, WW 收藏  |  浏览/下载：134/0  |  提交时间：2013/09/24 BARIUM-TITANATE CERAMICS  DIELECTRIC-PROPERTIES  CRITICAL THICKNESS  CRYSTAL-STRUCTURE  PARTICLE-SIZE  BATIO3  FILMS   Investigation of the strain relaxation and ageing effect of YBa2Cu3O7-delta thin films grown on silicon-on-insulator substrates with yttria-stabilized zirconia buffer layers 期刊论文 SUPERCONDUCTOR SCIENCE & TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 51 Wang, P; Li, J; Peng, W; Chen, YF; Zheng, DN 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/18 BA-CU-O  PULSED-LASER DEPOSITION  SUPERCONDUCTING FILMS  CRITICAL THICKNESS  EPITAXIAL-GROWTH  SI  SRTIO3  MGO   Study of band structure InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells by high-resolution electron microscopy and electron holography 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 86, 期号: 4 Lu, W; Li, CR; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 CRITICAL LAYER THICKNESS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAN  INTERFACES  DENSITY  STRAIN   Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362 Lu, W; Li, DB; Li, CR; Shen, F; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 CRITICAL LAYER THICKNESS  GAN  HETEROSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  RELAXATION  SUBSTRATE  DEFECTS  FILMS