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科研机构
西安交通大学 [1]
上海电子信息职业技术... [1]
内容类型
无文献类型 [2]
发表日期
2018 [1]
2016 [1]
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氢化物气相外延 GaN 的微观结构及其高电压 IV 特性研究
无文献类型
作者:
金浩妮
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提交时间:2019/11/19
HVPE
GaN
微观结构
高电压 IV
陷阱态
GaN微波及功率器件在电子信息产业中的市场前景
无文献类型
作者:
梁瑶
;
张孔欣
;
何钧
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/24
优良性质
光电子器件
电子迁移率
半导体材料
GaN
键强度
直接带隙
氮化镓
器件技术
磷化铟
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