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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
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A novel fast lock-in phase-locked loop frequency synthesizer with direct frequency presetting circuit
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers brief communications & review papers, 2006, 卷号: 45, 期号: 4b, 页码: 3290-3294
Kuang XF
;
Wu NJ
;
Shou GL
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浏览/下载:63/0
  |  
提交时间:2010/04/11
lock-in speed
direct frequency presetting
mixed-signal voltage-controlled oscillator (VCO)
phase-locked loop (PLL)
synthesizer
LOW-NOISE
CMOS
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
DEVICES
Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH
;
Chan NH
;
Fong WK
;
Zhu CF
;
Ng SW
;
Lui HF
;
Tong KY
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:129/0
  |  
提交时间:2010/08/12
deep level transient Fourier spectroscopy
(DLTFS)
gallium nitride (GaN)
intermediate-temperature buffer layer (ITBF)
low-frequency noise
RESONANT-TUNNELING DIODES
GENERATION-RECOMBINATION NOISE
RANDOM-TELEGRAPH NOISE
ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS
DEVICES
Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions
期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425
Ho WY
;
Surya C
;
Tong KY
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/08/12
current stressing
DLTS
flicker noise
heterojunctions
III-V nitride
LOW-FREQUENCY FLUCTUATIONS
RESONANT-TUNNELING DIODES
FLICKER NOISE
GALLIUM NITRIDE
1/F NOISE
DEVICES
TRANSISTORS
QUALITY
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