×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [1]
2008 [2]
2006 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [2]
更多...
学科主题
半导体物理 [8]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Spin injection in the multiple quantum-well LED structure with the Fe/AlO (x) injector
期刊论文
science china-physics mechanics & astronomy, 2010, 卷号: 53, 期号: 4, 页码: 649-653
Wu H (Wu Hao)
;
Zheng HZ (Zheng HouZhi)
;
Liu J (Liu Jian)
;
Li GR (Li GuiRong)
;
Xu P (Xu Ping)
;
Zhu H (Zhu Hui)
;
Zhang H (Zhang Hao)
;
Zhao JH (Zhao JianHua)
收藏
  |  
浏览/下载:81/2
  |  
提交时间:2010/05/04
spintronics
spin injection
light emitting diode
multiple quantum well
SEMICONDUCTOR SPINTRONICS
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
Zhang, Y
;
Han, CL
;
Gao, JF
;
Zhu, ZP
;
Wang, BQ
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:55/6
  |  
提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647
作者:
Zhang Y
;
Zhang Y
收藏
  |  
浏览/下载:268/32
  |  
提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
A bistable, self-latching inverter by the monolithic integration of resonant tunnelling diode and high electron mobility transistor
期刊论文
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2422-2426
Ma L (Ma Long)
;
Huang YL (Huang Ying-Long)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
;
Wang LC (Wang Liang-Chen)
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2010/04/11
resonant tunnelling diode (RTD)
high electron mobility transistor (HEMT)
molecular beam epitaxy (MBE)
bistability
self-latching
Kinetic modeling of N incorporation in GaInNAs growth by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 2, 页码: 214-216
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wu RH
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/08/12
TEMPERATURE PULSED OPERATION
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODE
TERTIARYBUTYLARSINE
GAAS
High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1999, 卷号: 35, 期号: 10, 页码: 1535-1541
Yang GW
;
Hwu RJ
;
Xu ZT
;
Ma XY
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum-well lasers
semiconductor diodes
semiconductor epitaxial layers
semiconductor lasers
semiconductor materials
NM DIODE-LASERS
WAVE-GUIDE
AMPLIFIER
FRONT-FACET POWER
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2010/10/29
InGaAsP
strained layer quantum well
laser diode
MOCVD
The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD
会议论文
semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang LM
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhang XY
;
Chen LH
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/10/29
AlGaInP
quantum well
laser diode
MOCVD
DVD
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace