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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
2007 [2]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
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浏览/下载:125/38
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提交时间:2010/03/29
BUFFER LAYER
STRESS
PHOTODIODES
REDUCTION
DETECTORS
SAPPHIRE
EPITAXY
GROWTH
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
33rd international symposium on compound semiconductors, vancouver, canada, aug 13-17, 2006
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
收藏
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浏览/下载:89/9
  |  
提交时间:2010/03/29
AVALANCHE PHOTODIODES
AREA
Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetectors on undoped GaN/sapphire grown by MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 1-6
Xu HZ
;
Wang ZG
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Ansell BJ
;
Foxon CT
收藏
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浏览/下载:60/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
photoluminescence
optical quenching of photoconductivity
native defect level
molecular beam epitaxy
SINGLE-CRYSTAL GAN
I-N PHOTODIODES
HIGH-SPEED
PHOTOCONDUCTORS
ALXGA1-XN
SIMULATIONS
DETECTORS
SAPPHIRE
LAYERS
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