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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [2]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 31-35
Zhao C (Zhao C.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Zhao M (Zhao Man)
;
Zhang CL (Zhang C. L.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Yu LK (Yu L. K.)
;
Sun J (Sun J.)
;
Lei W (Lei W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/04/11
Monte Carlo simulation
molecular beam epitaxy
kinetic effects
quantum dot
LAYER
Kinetic Monte Carlo simulation of spatially ordered growth of quantum dots on patterned substrate
期刊论文
solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 11, 页码: 630-633
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
quantum dot
molecular beam epitaxy
kinetic effects
Monte Carlo simulation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PERIODIC STRAIN
NUCLEATION
Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures
期刊论文
science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218
Chen NF
;
He HJ
;
Wang YT
;
Lin LY
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提交时间:2010/11/17
low temperature
molecular beam epitaxy
GaAs single crystal
lattice parameter
arsenic interstitial couples
arsenic precipitates
effects of backgating or sidegating
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