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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of exotic Mn on magnetic properties of YCo5.0-xMnxGa7.0 (0.05 <= x <= 3.0) 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2005, 卷号: 81, 期号: 6, 页码: 1309-1312 Chang H; Rao G; Liang J; Guo Y; Liu S; Du H 收藏  |  浏览/下载：116/25  |  提交时间：2010/03/17 LU SINGLE-CRYSTALS   High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES   Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90 Gao YZ; Kan H; Gao FS; Gong XY; Yamaguchi T 收藏  |  浏览/下载：85/4  |  提交时间：2010/08/12 purification  X-ray diffraction  melt epitaxy  narrow gap materials  semiconducting III-V materials  CUTOFF WAVELENGTH  SINGLE-CRYSTALS  MU-M  INFRARED PHOTODETECTORS  GAAS   Point defects in III-V compound semiconductors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93 Chen N 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 compound semiconductors  point defects  deep level centres  stoichiometry  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRICAL-PROPERTIES  LATTICE-PARAMETER  NATIVE DEFECTS  CARBON  DIFFRACTOMETER  STOICHIOMETRY