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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121 Liu, HY; Meng, ZM; Dai, QF; Wu, LJ; Guo, Q; Hu, W; Liu, SH; Lan, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 ENERGY RELAXATION  ELECTRON RELAXATION  CAPTURE  PHONON  INAS  GAAS  TEMPERATURE  DEPENDENCE  DENSITY  TIME   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES