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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802 Guo X (Guo Xi); Wang H (Wang Hui); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/02 InGaN  In-plane grazing incidence x-ray diffraction  reciprocal space mapping  biaxial strain  CRITICAL LAYER THICKNESS  OPTICAL-PROPERTIES  LATTICE-CONSTANTS  GAN  HETEROSTRUCTURES  ALLOYS  WELLS   High-indium-content InxGa1-xAs/GaAs quantum wells with emission wavelengths above 1.25 mu m at room temperature 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5100-5102 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：219/54  |  提交时间：2010/03/09 CRITICAL LAYER THICKNESS   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES